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열린 비아 Hole의 전기도금 Filling을 이용한 구리 Cu 관통비아 형성공정
Cu Through-Via Formation using Open Via-hole Filling with Electrodeposition

등록 : 2015.03.27 ⋅ 8회 인용

출처 : 마이크로전자패키징학회지, 21권 4호 2014년, 한글 7 쪽

분류 : 연구

자료 : 있음(다운로드불가)

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자료요약
카테고리 : 구리/합금 | 글입력 : GOLDBUG | 최종수정일 : 2021.01.07
LED 패키지의 써멀비아, 반도체 패키지의 TSV, MEMS 패키지의 비아 interconnect 의 형성공정을 개발하기 위한 기초연구로서, 50 μm 에서 1.5 mm 범위의 다양한 직경을 갖는 열린 비아홀들에 대해 전기도금 충진을 이용한 구리 관통 비아 형성공정을 연구하였다.
  • LSI의 고집적화 다양화에 반하여 범프라 부르는 돌기형전극에 의한 칩과 외부회로를 접속하고 았어, 전기도금 및 무전해도금법에 의한 마이크로범프 형성에 관하여 설명
  • 내용중 이 기준은 교류 1000 V 이하 및 직류 1500 V 이하의 전기․전자 제품을 구성하는 성형 부품 (이하 ‘부품’이라 한다) 을 대상으로 한다. <부표> 유해원소의 사용제한 ...
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