이온프레이팅은 고전류 저전압의 arc plasma를 이용하여 타겟의 표면에 cluster형태의 이온을 방출합니다. 스퍼터링이나 이온플레이팅 모두 atomic beam 또는 molecular beam 처럼 방출되는 것은 아니지만, 이온프레이팅은 타겟물질이 cluster(일종의 덩어리)형태로 방출되어 증착속도는 빠르나  거친 표면을 만들게 됩니다.

반면 스퍼터링은 이온프레이팅보다 증착속도를 낮게할수 있어 좀더 미세한 표면을 얻을수 있습니다. 만약 박막을 형성하고자하는 기초재가 전도체가 아니라면, 이온프레이팅에서 형성된 박막의 cluster의 수도 많고 크기도 크게됩니다.

이온프레이팅은 고속강이나 금형등의 표면에 세라믹과 같은 후막을 형성하여 내열성, 내마모성을 향상하는데 적합하다고 생각 됩니다. [Naver 지식in]

스퍼터링 / Sputtering

진공용기중에 알콘 깨스를 넣고, 음극(타겟)과 양극(가공물)의 사이에 직류고전압을 가하면, 알곤이 방전하고 알곤 이온과 전자로 된다. 이 알곤 이온이 타겟의 금속을 가격하고, 금속의 원자를 날려(스퍼터링 현상), 가공물표면에 박막을 형성한다.

다른말로는, 가속된 입자가 고체표면에 충돌할때, 운동량의 변화에 따라 고체를 구성하는 원자가 공간에 방출되는 현상 및 이 현상을 이용한 막 제조방법을 말한다.