초박형 질화티타늄 TiN 장벽층에 상온 무전해구리도금 시드층의 개발이다. 이 새로운 공정은 0.118 μm 미만 ULSI 공정을 위한 [[다마신[] 층간 금속구조와 호환 된다. 최적의 구리층 두께 50 nm 및 최소 45 nm 도금속도를 목표로하였다. 원자간력 현미경 (AFM) 은 시드층의 불균일성이 피막두께의 10 % 미만임을 나타내...
In today’s electronics-dominated world a lot of different equipment is manufactured. The basis of every electronic device are the so-called PCBs (printed circuit...