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  • 박막용 무전해 구리도금욕은 촉매핵 상의 구리 피복성으로, 두께용은 구리 소재위의 석출속도나 피막 물성에 적당한 성분으로 구성되어 있다. 여기서 각 성분의 ...

수정 세라믹 전기도금 공정

^ Electroplating Process for Ceramics Substration

 

세라믹은 알루미나 (Al2O3)ㆍ질화규소 (Si4N4)ㆍ탄화규소 (SiC) 등의 내산성·경도·내식성이 우수한 구조용 세라믹스와 절연재료 2MgO, Al2O3유전재료 BaTiO3압전재료 PZT 〔Pb(Zr,Ti)O3〕, 센서재료 디아니아 (TiO2) 등으로 전자 세라믹스를 크게 나눌수 있다.

 

IC 기판이나 IC 패키지, 발진자 등의 전극형성에 도금 기술이 많이 이용되고 있다. 도금방법으로는, 플라스틱도금  등의 비전도 소재의 도금과 비슷하나, 도금 피막과의 화학적 결합력은 좋지 않다.  도금의 밀착력은 에칭으로 형성된 미소 요철 형태가 앙카 역할을 하여 밀착력을 유지하게 된다.

 

세라믹의 에칭 방법은 금속화 세라믹스 (몰리브덴ㆍ망간ㆍ텅스텐 등의 금속성분을 소결할여 첨가한 세라믹스) 와 비금속화 세라믹은 서로 다르나 이후의 도금방법은 동일하다.

 

초기 석출 형태가 달라 소재 망간의 일부 피막이 부식됨에 따라, 밀착강도를 크게 하기 위하여, 무전해도금에서 수 100 Å 정도의 초기 석출과정으로 피막의 석출형태를 치밀한 균일화 방법이 필요하다.

 

수정 몰리브덴-망간 금속화 세라믹스 공정

  1. 탈지
  2. 불필요한 Mo-Mn 제거 (페리시안화칼륨 200 gr/l + 수산화칼륨 100 gr/l)
  3. 알칼리 침지 (수산화칼륨 10 gr/l)
  4. 산침지 (10% 염산)
  5. 액티베이터 (염화팔라듐 0.01~0.1 gr/l + 염산 1 ㎖/l)
  6. 무전해 Ni-B 도금 (2.5 ㎛)

 

수정 비금속화 세라믹

  1. 알칼리 탈지
  2. 에칭 (불화물 용액)
  3. 센시타이저 (염화주석 5~20 gr/l + 염산 1~5 ㎖/l)
  4. 액티베이터 (염화팔라듐 0.5~1 gr/l)
  5. 무전해 니켈도금

 

 

수정 참고