■ 일본 일렉트로플레이팅・엔지니어스(EEJA), 도쿄대학과 공동으로 세계 최초 p 형・n 형 유기 반도체 결정상에 도금법으로 콘택트 전극을 일괄 형성할 수 있는 기술 개발에 성공

■ 세계 최고 레벨의 저접촉 저항 전극과 고이동도를 달성하는 고성능 유기 트랜지스터의 대기 중 형성이 가능

본 기술에서는 은나노 입자를 촉매로 도입하는 무전해 금도금 프로세스를 유기반도체상에 이용하기 때문에 대규모 장치를 필요로 하는 진공 환경을 사용하지 않고 대기중에서 톱 콘택트형 OFET(그림 1)（※2）의 콘택트 전극을 형성할 수가 있습니다. 또 같은 대기 중 콘택트 형성법인 금속 잉크와는 달리 유기 반도체의 손상이 적어 고이동도（※3）유기 반도체의 성능을 떨어뜨리지 않고 고성능 OFET 형성을 실현합니다.

또한, 최근의 고성능 n 형 반도체 재료가 등장함으로써 개발이 가속되고 있는 p 형・n 형 OFET 혼재형 회로에 대해 동시에 콘택트 전극을 형성할 수 있기 때문에 보다 고도의 유기 전자 디바이스를 저비용으로 형성할 수가 있습니다.

자세한내용 : http://pro.tanaka.co.jp/kr/topics/fileout.html?f=75