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치환구리막의 생성기구에 관하여
The Mechanism of the formation of galvanically substituted CU-Films
자료 :
- 분류 : 치환구리막 ⋅
자료요약
카테고리 : 치환도금 | 글입력 : goldbug | 최종수정일 : 2020.10.18
체심 입방형 금속에 화학적 치환석출로 성장했다 면심 입방형 금속막에 대한 기본질과 결정학적 관련성 및 생성기구등 구조를 조사하기 위해 저자가 행한 철표면에 석출 성장시켜 치환 구리막을 제거 하였다.
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경질 크롬 도금욕을 처리하는 데 사용되는 두 가지 주요 전기화학 공정을 비교었다. 실험실 규모에서 얻은 결과로 제거율은 PCM 셀에서 약간 더 나은 반면 에너지 (시간전위...
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복합재로 산화알루미늄 Al2O3 나노입자를 이용한 복합 전기도금은 매우 가치가 있는 표면처리로 경질크롬 도금을 대신하고 있다. 니켈금속 이온과 함께 피막의 경도, 마찰저...
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시안화물 함유 전기도금 폐액의 처리를 목표로 직류 전기분해 전처리법을 사용하여 양극재, 전기분해 전류 및 시간, 전해질 유형 및 첨가량이 시안 CN 및 금속이온 제거율 ...
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암모니아 완충액을 이용한 볼탐메트리 환원법의 적용사례로, 구리판을 모재로한 주석도금 제품 소자를 시료로 하여, 가열처리하여 생성된 주석 산화막의 형태분석과, 생성 ...