Pd/Sn 콜로이드 활성화를 통한 ULSI 인터커넥트 제조를 위한 TiN의 무전해 Cu 석출 공정
TiN 장벽으로 피복된 (100)-배향 실리콘 웨이퍼는 무전해 구리 석출을 위한 활성제 역할을 하는 Pd/Sn 콜로이드에 의해 촉매화된다. 활성화 후, 촉매 표면에서 Cu의 무전해 도금이 발생한다. Cu 증착의 피복률은 100 % 에 도달하고 Pd 의 흡착량은 컨디셔닝 공정에 의해 크게 증가한다. 도금욕의 온도를...
구리/Cu
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ELECTRONIC MATERIALS · 32권 1호 2003년 · H.P. FONG ·
Y. WU
외 ..
참조 52회
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