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SiC 의 직접 무전해 도금
Direct Electroelss Plating on Silicon Carbide

등록 2023.03.03 ⋅ 607회 인용

출처 MES 2016, 9호 2016년, 일어 4 쪽

분류 연구

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자료요약
카테고리 : 니켈/Ni | 글입력 : 화양별곡 | 최종수정일 : 2023.03.03
금 나노입자를 촉매로 사용하여 단결정 4H-실리콘 카바이드(SiC) 웨이퍼에 직접 무전해 도금하는 새로운 방법을 개발하였다. SiC 상의 금 나노입자는 Hg-Xe 쇼트 아크 램프를 사용하여 UV 조명 아래에서 불화수소산 또는 수산화칼륨을 포함하는 [테트라클로로금](III) 산 용액에 침지하여 생성뎐다. 형성된 Ni-P 막의 접착력...

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