무전해 공정에 의한 실리콘의 표면 처리 및 고감도 레이저 분석에의 응용
Si 웨이퍼를 HF 용액 중에서 애노드 분극하면, 전해 연마가 일어나는 전위보다 비극한 전위로 Si 표면에 다공성층이 형성된다. 다공성 Si의 새로운 제작 방법으로서 금속 원용 에칭 방법에서는 귀금속 촉매를 수식한 Si 를 과산화수소(H2O2) 등의 산화제를 포함하는 HF 용액으로 다공성 Si를 제작할 수 ...
무전해도금통합
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표면기술 · 76권 2호 2024년 · Ayumu MATSUMOTO ·
Shinji YAE
참조 14회
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