관통 실리콘 비아에 있어서 구리 전착에 대한 염화물 농도의 영향
TSV (metallized through silicon vias) 에서 상향식 Cu 전착은 함몰된 표면 피쳐 내에서 선택적으로 분해되는 공동 흡착된 폴리에테르-Cl- 억제층에 의존한다. 이 연구는 서프레서 차단층의 형성이 Cl- 의 플럭스에 의해 제한될 때 Cu 전착을 탐구하였다. 이러한 제약은 표면 상태뿐 아니라 서프레서 ...
구리/합금
·
Electrochemical Society · 166권 1호 2019년 · T. M. Braun ·
D. Josell
외 ..
참조 21회
|
