은 Ag 다층 금속화 캡의 무전해 Ni-B 도금
IC 장치 속도를 높이려면 RC 지연을 줄이는 것이 중요하다. Cu 는 인터커넥트의 저항률을 낮추기 위해 채택되었으며 유전상수를 낮추기 위해 몇 가지 물질을 연구하였다. 은 Ag 는 실제제품에 아직 채택되지 않았지만 저 저항 상호 연결 금속으로서 구리 Cu 다음의 후보중 하나다. 금속 위의 캡층과 같...
도금자료기타
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Materials Transactions · 43권 7호 2002년 · Manabu TSUJIMURA ·
Hiroaki INOUE
외 ..
참조 39회
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