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고전류밀도 염화 아연 도금 공정과 조성
High current density zinc chloride electrogalvanizing process and composition

등록 : 2008.08.27 ⋅ 45회 인용

출처 : 미국특허, 1997-5656148, 영어 10 쪽

분류 : 특허

자료 : 웹 조사자료

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자료요약
카테고리 : 아연/합금 | 글입력 : 티타늄 | 최종수정일 : 2022.02.13
도포된 HCD 아연피막은 수지상 방지제를 곡물 정제 제보다 더 많은 양으로 증가시킴으로써 설폰화 나프탈렌 포름 알데하이드 항수지제 및 저분자량 에틸렌 옥사이드 중합체를 사용할 때 더 부드러워 질 것이다.
  • 정전위 펄스전해법에 의한 카드뮴-텔루륨 CdTe 박막을 만들고, 피막의 특성과 전기화학 광전지에의 적용 가능성을 검토
  • 제1환원제의 예는 포르말린 및 글리옥실산을 포함하고, 차아인산염의 예는 차아인산 소다, 차 아인산 칼륨 및 차아인산 암모늄을 포함한다. 구리도금을 억제하는 안정제의 ...
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  • 중크롬산 용액의 대체제로서 여러 형태의 무기화합물을 조사, 검토한후 지르코늄 Zr 계 화합물을 선택하여 크롬대체 가능실험을 실시하였는데 산화지르코늄 ZrO2 계 산화피...
  • 수용성 도금액은 본질적으로 구리이온 방출 화합물, 구리이온 착화제, 구리이온 환원제, 알칼리금속 수산화물, 2.2'-디피리딜, 폴리에틸렌클리콜, 스테아릴아민 및 황화은으...