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고전류밀도로 화성된 알루미늄 양극산화피막의 물성
Property of the anodizin g films on aluminum formed at high current density

등록 : 2008.09.03 ⋅ 38회 인용

출처 : 실무표면기술, 31권 9호 1984년, 일본어 3 쪽

분류 : 연구

자료 : 있음(다운로드불가)

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자료요약
카테고리 : 양극산화 | 글입력 : 티타늄 | 최종수정일 : 2015.01.13
황산욕을 사용하여 통상 생성된 양극 산화피막과, 특수한 전해방식을 채용한 방법의, 전해욕의 온도 및 농도를 높히고, 고전류밀도로 생성된 양극산화피막의 물성에 관하여 비교검토

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