3가크롬도금에 적합한 전극으로, 도전성 기본체상에 산화이리듐을 포함한 전극물층을 가지며, 전극물층의 표면에 가공질층이 실리콘 Si, 물리브덴 Mo, 티타늄 Ti, 탄탈룸 Ta, 지르코늄 Zr, 텅스텐 W 등의 소량과 하나 이상의 원소를 함유한 산화물로 형성된 3가크롬의 산화에 의한 6가크롬의 생성율이 없는 [[크...
The heart of the GES technique is the GAMMAT? easy processor which controls the different processes of gold refining like the electric circuit as well as the tem...