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양극 산화에 의한 실리콘 카바이드의 표면 가공
Surface Processing of Silicon Carbide by Anodization

등록 : 2023.10.27 ⋅ 23회 인용

출처 : 표면기술, 74권 4호 2023년, 일어 6 쪽

분류 : 연구

자료 : 있음(다운로드불가)

저자 :

기타 :

陽極酸化によるシリコンカーバイドの表面加工

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자료요약
카테고리 : 양극산화 | 글입력 : 화양별곡 | 최종수정일 : 2023.11.04
SiC의 전기 화학 반응 활성을 높이는 접근법과 그것을 굳이 극한까지 저하시키는 접근법에 의해 SiC의 양극산화에 임하고, 다공성 구조의 형성, 위치 선택적인 금속 치환도금, 배리어 피막 형성과 그 개요를 소개하였다.
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  • 휴대정보기의 소형경량화, 고기능화로 인하여 고밀도 배선기술을 개발하였다. 미세한 공공이 많이 형성된 나노 다공질 시트에 미세한 입체배선을 만드로, 광 조사된 부분만...