무전해은 Ag 과 마이크로 전자와 마이크로전자 화학시스템 적용의 텅스텐 박막의 은 Ag
은 (Ag) 및 은-텅스텐 [Ag (W)] 층을 Si 에 무전 해 도금한 결과를 제시 하였다. 이는 마이크로 전자공학 및 MEMS (Microelectromechanical System) 기술을 적용하기 위한것이다. 은 Ag 은 저항력이 우수 하지만 박막 특성과 부식에 대한 취약성이 문제를 일으킬수 있다. 이 연구에서 저항률 및 표면 거...
도금자료기타
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Electrochemical Society · 147권 9호 2000년 · Yosi Shacham ·
Alexandra Inberg
외 ..
참조 50회
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