실리콘 소재상에 형성된 금속 나노로드 크기와 무전해 도금막의 일착성
비교적 전도성이 낮기 때문에 후막이 필요함과 소성에 의한 열 영향, 규소 Si 표면에 반사 방지를 위해 형성된 요철 구조에 의한 인쇄번짐 등의 과제가있다. Si 반도체도 있기 때문에, 전해 및 무전해 도금 밀착성이 좋은 박막을 직접 형성하는 것이 어렵다. 그 대책으로서 촉매화 처리로 불소 이온을 ...
무전해도금기타
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표면기술 · 63권 12호 2012년 · Masato ENOMOTO ·
Shinji YAE
외 ..
참조 10회
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