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표면처리기술문헌 : 습식표면처리 연구문헌자료

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Pstation Data Box · 2019 ⋅ S.I.HONG ⋅
습식 표면처리 개발을 위한 연구/문헌 자료실 (로그인 필요) 이용을 환영합니다. 검색(로그인 필요)은 아래 내용을 참조하여 주시기 바랍니다. 외뢰어는 기본적으로 한글 표준 발음 (포리머 → 폴리머 / 알카리 → 알칼리)을 사용하였습니다. 많이 사용되는 용어는 일반관 용어 (Nickel → 니켈) / (신주 /...

반도체 산업에서 트렌치와 비아의 수퍼필링을 위한 다마신 공정에 사용되는 구리도금욕의 노화를 특성화하기 위해 전기화학적 임피던스분광법과 순환전압전류법이 사용되었다. 구리 양극조성, 양극전류밀도, 가속기 특성 및 농도의 영향을 연구하였다.

· Electrochemical Society · 152권 12호 2006년 · P. Mocoteguy · C. Gabrielli 외 .. 참조 19회

전기도금은 뛰어난 갭 필링 용량과 높은 처리량으로 인해 이중 다마신 구조에서 구리 Cu 상호 연결을 형성하는 유망한 방법이다. Cu 금속 화의 전기도금과 관련된 반도체로직 및 메모리 장치의 최첨단 다마신 제조에 사용되는 외부첨가제가 광범위하게 연구되었다.

구리/합금 · Research Express · 20권 1호 2011년 · Chi-Cheng Hung · Wen-Hsi Lee 외 .. 참조 12회

다마신 공정에서 구리전기도금조에서 첨가제의 역할이 조사되었다. 상향식 충진 모델을 제안하고 실험결과와 시뮬레이션 결과를 비교하여 확인 하였다. 구리표면을 흡수하고 구리침착을 억제하는 Janus Green B 및 Basic Blue 3 는 충진 성능을 향상시키기 위한 첨가제 사용을 조사했다.

구리/합금 · Materials Tracsaction · 43권 7호 2002년 · Toshi Haba · Tekryuki Itabashi 외 .. 참조 11회

• 다마신 기능 채우기 및 레벨링 • 구리전기도금 문제 • 피처 크기가 다마신 Cu 도금에 미치는 영향 감소 다마신 필 기술 개선을 위한 과제 • 32nm 이하 기능을위한 충전 기능 • 라인 저항 감소를위한 야금 • 수퍼필링에 영향을주지 않고 레벨링 성능 향상 • 장벽에 도금

구리/합금 · Novellus · na · Jon Reid · 참조 10회

무전해구리도금 공정에서 첨가제로 사용되는 HIQSA 화합물이 다마신 공정을 이용한 60 nm 급 trench 패턴 내 무전해구리배선 형성과정에 미치는 효과를 전기화학적 기법과 광학적 기법을 이용하여 관찰하였다. HIQSA 농도별 open circuit potential 의 변화를 관측한 결과, 3 ppm 수준으로 ...

구리/합금 · 한국표면공학회 · 2007년 추계학술대회 · 이주열 · 김덕진 외 .. 참조 12회

두가지 성분 브로마이드 이온 및 폴리에틸렌글리콜 (PEG)] 만을 첨가하여 산성 황산구리도금욕의 서브 마이크로 미터 트렌치에서 우선적인 구리전착이 관찰되었다. PEG 에 의한 강력한 억제는 Cl2 의 첨가에 비해 Br2 의 첨가에 의해 관찰하였다. 할로겐화 이온은 PEG 와 구리 표면 사이의 밀착제 ...

구리/합금 · Electr. Solid-State Letters · 6권 6호 2003년 · Masanori Hayase · Munemasa Taketani 외 .. 참조 8회

구리를 0.25 mm 이하의 피처로 전착시키는 것을 이론적으로 그리고 실험적으로 연구되었다. 물리적 기반의 2차원 (2D) 의사 안정상태 및 1차원 (1D) 비정상상태 질량전달 모델이 단계 적용 범위, 다마신 기능에서 구리 도금의 진화에 대한 중요 변수의 영향을 연구하기 위해 개발되었다. 높은 종횡비 단...

구리/합금 · Electrochemical Society · 147권 9호 2000년 · Desikan Varadarajan · Charles Y. Lee 외 .. 참조 8회

초박형 질화티타늄 TiN 장벽층에 상온 무전해구리도금 시드층의 개발이다. 이 새로운 공정은 0.118 μm 미만 ULSI 공정을 위한 [[다마신[] 층간 금속구조와 호환 된다. 최적의 구리층 두께 50 nm 및 최소 45 nm 도금속도를 목표로하였다. 원자간력 현미경 (AFM) 은 시드층의 불균일성이 피막두께의 1...

구리/합금 · Microelectronic Engineering · 50권 2000년 · Joseph P. O’Kelly · Karen F. Mongey 외 .. 참조 12회

구리 배선 공정은 플라즈마 식각시 발생하는 부산물의 제거가 어려운 특성이 있어, 기존의 etch-back 공정대신 층간 절연막을 먼저 형성한 후 금속이 들어갈 자리를 사진 식각 공정 (photo-lithography)을 통해 형성 하고 후속 전해도금을 이용한 구리막의 채움으로 진행된다. 이러한 공정은 단순히 단...

도금자료기타 · CHERIC · · 김수길 · 참조 12회

최신의 반도체 배선재료는 저저항으로 고주파특성이 우수하기 때문에 알루미늄 대신 구리가 사용되고 있다. 부미크론 치수법의 트렌치와 비아에 매립용으로, 첨가제를 활용한다. 이것은 억제 효과를 나타내는 산소 원자를 함유하는 고분자, Polyethyleneglycol (PEG) 및 촉진 효과의 Bis (3-sulfopropyl...

구리/합금 · 매터리얼 · 42권 12호 2003년 · Kazuo Kondo · Toshiaki Matsumoto 외 .. 참조 13회

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