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반도체 D Ram 용 포르마린 Free 무전해 구리(동)도금액의 국산화 기술개발에 관한 연구 (최종 보고서)
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등록 : 2010.05.18 ⋅ 41회 인용

출처 : 산업자원부, 2002.9., 한글 77 쪽

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자료 : 있음(다운로드불가)

저자 :

전성욱1) 심명청2) 전상옥3) 조형우4) 문영태5)

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자료요약
카테고리 : 구리/Cu | 글입력 : GoldBuG | 최종수정일 : 2020.11.15
현재 당사에서 이미 개발하여 공급 중에 있는 반도체상의 회로형성을 위한 무전해구리도금액 제조기술을 기본으로 하여 환경 오염물질인 포름알데하이드가 배제되고 도금피막의 각종 기능성의 확보가 가능한 도금액을 개발하여 반도체 관련분야의 수입대체 효과를 꾀하고자 한다. 아울러 본 기술은 세계적으로 미국...
  • QVF® process plant and pipeline components manufactured from borosilicate glass 3.3 are widely used throughout the chemical and pharmaceu
  • 양극산화 피막에서의 응력 요인은, 하지금속과 피막과의 몰 용적비가 다르고, 성막 성장에 있어서 이온의 이동, 고전장에 의한 전기왜곡, 피막의 수화 탈수등이 있다.
  • 브러시 도금 공정에서 ZHL 비시안화 은 Ag 도금액의 적용을 연구하였다. 최적의 브러시도금 공정 조건은 전압 2.0~2.5 V, 이동속도 0.2~1.0 cm/s, 도금액 온도 35~45 ℃, 모...
  • 염화아연 도금욕 ^ Zinc Chloride Plating Bath 도금욕의 전도염에 따라 칼륨과 암모늄욕이 있으며 [음극전류효율]이 높아 고속도금이 가능하여 강판 또는 철선의 연속도금...
  • 안녕하세요 저희 회사에서는 철시린다에 동도금을 하고 있습니다. 도금시 동볼에 검은 물질들이 동볼에 붙어있어 전기가 잘통하지 않습니다. 이것들이 생기지 않케하는 방법...