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탄화규소 SiC 분말 장치용 주변 기술로서의 무전해 비스무트 도금
Electroless Bismuth Plating as a Peripheral Technology for SiC Powder Devices

등록 : 2015.04.08 ⋅ 19회 인용

출처 : Trans. Mat. Res., 39권 1호 2014년, 영어 5 쪽

분류 : 연구

자료 : 있음(다운로드불가)

저자 :

Ei Uchida1) Kaoru Tanaka2) Miri Okada3) Takaaki Tsuruoka4) Kensuke Akamatsu⁵) Hidemi Nawafune⁶)

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자료요약
카테고리 : 무전해도금기타 | 글입력 : GoldBuG | 최종수정일 : 2022.06.09
비스무스 도금된 피막은 우수한 융점으로 인해 탄화규소 SiC 전력 장치에서 고온 접합재로 사용되어 왔다. 환원제로서 주석 Sn2+ 이온, 착화제로 구연산을 사용하여 약산성을 갖는 무전해비스무스도금을 조사 하였다. 복합 도금욕은 우수한 안정성을 나타내었고, 순수한 비스무스 피막을 석출하였다. 분극특성 실험에서 ...

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