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고전류밀도 염화아연 도금 공정과 조성
High current density zinc chloride electrogalvanizing process and composition

등록 : 2008.09.02 ⋅ 55회 인용

출처 : 미국특허, 1997-5656148, 영어 21 쪽

분류 : 특허

자료 : 웹 조사자료

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자료요약
카테고리 : 아연/합금 | 글입력 : 티타늄 | 최종수정일 : 2022.02.13
고전류 밀도 덴드라이트 (HCD) 형성 및 엣지번을 감소시키고 할로겐화 아연 수용성 산성 전기갈바닉 도금욕으로부터 얻은 아연피막의 고전류밀도 거칠기, 입자크기 및 배향을 제어하기 위한 전기아연 도금공정 및 조성물이 개시된다. 수지상 방지제로 사용되는 나프탈렌 및 포름알데하이드의 설폰화된 축합물과 조합된 입자 ...
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  • 인산염 피막 ㆍ Phosphate Film 인산염처리욕중 수용성은 제1인산염이며, 제2, 제3 인산염은 불용성이다. 2가 금속인 제1인산염이 철강과 접촉시 불용성 인산염피막이 만들...
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