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Pd/Sn 콜로이드 활성화를 통한 ULSI 인터커넥트 제조를 위한 TiN의 무전해 Cu 석출 공정
Electroless Cu Deposition Process on TiN for ULSI Interconnect Fabrication via Pd/Sn Colloid Activation

등록 2024.08.03 ⋅ 76회 인용

출처 ELECTRONIC MATERIALS, 32권 1호 2003년, 영어 9 쪽

분류 연구

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자료요약
카테고리 : 구리/Cu | 글입력 : 화양별곡 | 최종수정일 : 2024.08.03
TiN 장벽으로 피복된 (100)-배향 실리콘 웨이퍼는 무전해 구리 석출을 위한 활성제 역할을 하는 Pd/Sn 콜로이드에 의해 촉매화된다. 활성화 후, 촉매 표면에서 Cu의 무전해 도금이 발생한다. Cu 증착의 피복률은 100 % 에 도달하고 Pd 의 흡착량은 컨디셔닝 공정에 의해 크게 증가한다. 도금욕의 온도를 변화시킬 때 석출 속...

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