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고속흐름 도금법에 의한 단시간 Cu 관통 전극형성과 전극의 미세조직
na

등록 2012.11.07 ⋅ 46회 인용

출처 표면실장기술, 3호 2012년, 한글 7 쪽

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Journal of Japan Institute of Electronics Packaging 번역

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카테고리 : 인쇄회로 | 글입력 : goldbug | 최종수정일 : 2021.01.05
8인치 웨이퍼에서 지름 10 ㎛, 70 ㎛ 깊이를 갖는 관통전극 실리콘 비아의 도금 시간을 90 분에서 60 분으로 단축하는 도금조건을 성립했다. 이와 더불어 도금조건의 기능에 따라 어닐링 처리한 후 미세구조 측정을 실시한 결과, 높은 펄스전류 밀도와 낮은 듀티사이클 펄스 조건에서 기존에 형성된 도금 피막의 입자 크기는...

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