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검색글 electrochem 509건
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Pstation Data Box · 2019 ⋅ S.I.HONG ⋅
습식 표면처리 개발을 위한 연구/문헌 자료실 (로그인 필요) 이용을 환영합니다. 검색(로그인 필요)은 아래 내용을 참조하여 주시기 바랍니다. 외뢰어는 기본적으로 한글 표준 발음 (포리머 → 폴리머 / 알카리 → 알칼리)을 사용하였습니다. 많이 사용되는 용어는 일반관 용어 (Nickel → 니켈) / (신주 /...

니켈-철-인 Ni-Fe-P 박막은 황산욕에서 무전해 도금에 의해 준비되었다. Ni-Fe-P 박막의 도금공정, 도금 속도, 조성 및 구조에 대한 tri-sodium citrate (NaCit) 및/또는 tri-ammonium citrate (NHCit) 와 같은 리간드의 효과를 조사했다. 무전해 도금시스템에 NHCit 을 추가하면 더 극성이 생기고 도금...

합금/복합 · Electrochem Sci. · 3권 2008년 · Wei-Qing Huang · Gui-Fang Huang 외 .. 참조 35회

마그네슘 합금 AZ31B에 대한 중요한 화학적 전환코팅, 즉 주석산염, 산화세륨, 크롬산염 및 갈바닉 흑색 양극산화에 대한 비교 연구가 수행되었다. 피막의 표면형태와 구성은 SEM 및 EDX 기술로 조사되었다. 이러한 피막의 내식성은 분극연구, 염수분무시험 및 전기화학적 임피던스 분광법 [EIS...

도금자료기타 · Electrochem Sci. · 3 권 2008년 · A. R. Shashikala · R. Umarani 외 .. 참조 39회

촉매침착은 새로운 비알칼리성, 비시안화 무전 해금 도금조에서 연구하였다. 욕은 환원제인 L- 아스콜빈산 나트륨과 저온 착화물인 티오황산금(i) 나트륨로 구성 된다. 아스콜빈산은 약 1 μm/h 의 도금 속도로 티오황산금염을 자기촉매로 감소시킨다. 반응 순서는 반응물을 소비하고 도금속도를...

금/Au · Electrochemical Society · 142권 7호 1995년 · Anne M. Sullivan · Paul A. Kohl 참조 50회

억제효율은 억제제 농도가 증가함에 따라 증가하고 온도가 증가함에 따라 감소하는 것으로 나타 났는데 이는 Al의 부식속도가 흡착속도보다 높기 때문이다. 금속표면에 이러한 화합물의 흡착은 Freundlich 흡착 등온선을 따르는 것으로 밝혀졌다. 이러한 화합물의 억제작용은 표면 커버리지의 증가로 인...

엣칭/부식 · Electrochem. Sci. · 3권 2008년 · G.Y. Elewady · I.A. El-Said 외 .. 참조 40회

구리의 전기화학적 부식과 억제제를 사용하여 방지할수 있는 가능성을 다루는 문헌이 검토 되었다. 무기화합물도 조사되지만 유기화합물과 그 유도체는 훨씬 더 많다. 연구는 화합물 구조, 농도, 적용 방법 및 억제제가 사용되는 매체가 억제 효율에 미치는 영향에 관한 것이다. 또한 행동 작용을 연구 ...

화성피막 · Electrochem. Sci. · 3권 2008년 · M. M. Antonijevic · M. B. Petrovic 참조 45회

벤조트리아졸 (BTAH) 과 비교하여 톨리트리아 졸 (TTAH) 에 의한 구리의 부식억제는 오염되지 않은 황화물로 오염된 3.5 % NaCl 에서 조사되었다. TTAH 와 BTAH 는 오염되지 않은 염산에서 거의 유사한 결과를 제공 한다. 전기화학적 기법은 황화물 오염 매체의 경우 TTAH 가 BTA 보다 약 (40 %) 더 높...

화성피막 · Electrochem. Sci. · 4권 2009년 · F. M. Alkharafi · A. M. El-Shamy 외 .. 참조 95회

환원역학에 대한 연구에 따르면 PEG200 및 PEG200 / BDA 시스템 모두에서 첨가제 분자가 전극 표면에 흡착되면 교환 전류밀도 (i0)가 감소하여 공정 역학이 느려진다. PEG200 또는 PEG200 / BDA가 전해조에 존재할때 αc 값은 약간 낮았다. 이 효과는 첨가제 분자의 존재하에서 성장한 피막의 형태차이와...

아연/합금 · Electrochem. Sic. · 4호 2009년 · L. E. Moron · Y. Meas 외 .. 참조 48회

연속 구리 Cu 필름은 2 단계 공정에 의해 탄탈룸 Ta 에 전착된다. 암모늄 플루오라이드 용액에서 Cu 에 의한 Ta 의 갈바닉 변위 및 포름알데하이드 함유 욕조에서 우수한 밀착력의 무전해 구리 Cu 도금을 논의 하였다. HF 전처리 용액에서 산화물막 제거 정도는 전기화학적 임피던스 분광법으로 연구되...

구리/Cu · Electrochem. Solid Let. · 7권 5호 2004년 · Zuocheng Wang · Hongqi Li 외 .. 참조 30회

다공성 저유전율 유전체 재료를 반도체 장치에 도입하려면 낮은 다운포스 구리화학 기계적 평탄화 CMP 를 개발해야 한다. 대체 부동태화제 인 5- 페닐 -1H- 테트라졸 PTA 가 여기에서 제안되어 전통적인 CMP 부동태화제인 벤조트리아졸 BTA 보다 낮은 pH 에서 효과적 이다. PTA 는 이전에 저 pH 구리 부...

도금자료기타 · Electrochemical Society · 155권 7호 2008년 · Suresh Govindaswamy · Abhinav Tripathi 외 .. 참조 42회

구리 Cu 및 구리 Cu / 탄탈룸 Ta / 실리콘 Si 웨이퍼 샘플의 전해연마는 다양한 인산기반 전해질에서 회전 디스크전극을 사용하여 연구하였다. 희석제를 사용하면 광범위한 물농도에 액세스 할수 있으며 Cu 전해연마중 용해속도를 감소시켜 다마신 처리에 대한 가능한 적용을 단순화한다. 측정된 제한 ...

도금자료기타 · Electrochemical Society · 151권 6호 2004년 · Bing Du · Ian Ivar Suni 참조 53회