고인 Ni-P-Si3N4 복합 피막의 무전해 석출과 특성
pH 4.6 ± 0.2 및 온도 85 ± 2 ℃ 에서 1 g/L 서브미크론 질화규소 입자를 함유하는 차아인산염 환원 무전해 니켈욕을 사용하여 복합 피막을 제조하였다. 일반 Ni-P 피막과 복합피막 모두 석출 속도는 6~8 μm/시간 이었다. Ni-P 매트릭스에 공침 석출된 질화규소 입자의 양은 약 3.5 wt.% 였다. 석출된 도...
시험분석
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Int. J. Electrochem. Sci. · 2호 2007년 · J. N. Balaraju ·
K. S. Rajam
참조 35회
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