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반도체와 전기화학 1/2
Cu electrodeposition for semiconductor interconnection

등록 2014.03.20 ⋅ 31회 인용

출처 CHERIC, , 한글 5 쪽

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카테고리 : 도금자료기타 | 글입력 : goldbug | 최종수정일 : 2022.02.16
구리 배선 공정은 플라즈마 식각시 발생하는 부산물의 제거가 어려운 특성이 있어, 기존의 etch-back 공정대신 층간 절연막을 먼저 형성한 후 금속이 들어갈 자리를 사진 식각 공정 (photo-lithography)을 통해 형성 하고 후속 전해도금을 이용한 구리막의 채움으로 진행된다. 이러한 공정은 단순히 단차 피복율(step covera...
  • 업혁명 이후 석유 등 화석연료의 대량소비로 이산화탄소를 비롯한 온실가스 배출이 급격히 증가하고 지구 전체의 평균기온은 1906년부터 2005년까지 100년간 약 0.74°C 상승...
  • PCB 에서의 회로 연결방법으로, PCB 의 경우 구리 도금 기술, 특히 비아필링에 가장 효과적인 첨가제와 전류파형의 선택이 검토 하여 회로의 연결은 범프의 형성과 연결...
  • 도금피막 중의 실리카 함량과 염수분무시험에 의한 적녹 발생까지의 시간의 관계를 나타낸다. 실리카 입자를 함유하지 않는 부채꼴 아연이 96 시간에서 붉은 녹이 발생한 반...
  • 은도금 변색방지 크로메이트 처리는 알칼리성 크로메이트 용액에 은도금후 침지하여 변색을 지연시키는 가장 효과적인 방법이다.|1| 방법 1 50~150 g/L K2Cr2O7 50~70 g/L K...
  • CTAB Cetyltrimethyl Ammonium Bromide CAS No. 57-09-0 C19H42BrN = 364.45 g/mol CCCCCCCCCCCCCCCC〔N+〕(C)(C)C〔Br-〕 양이온성 아민 기반 4급 계면활성제 살균방부제, ...