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고속 SiC 에칭 기술
HIgh-rate SiC etching technology

등록 2008.09.24 ⋅ 160회 인용

출처 미쓰비시전기기보, 78권 6호 2004년, 일본어 1 쪽

분류 연구

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자료요약
카테고리 : 엣칭/부식 | 글입력 : 티타늄 | 최종수정일 : 2014.09.16
고밀도 ECR 프라즈마 에칭장치와 만든 SiC에칭 특성에 관하여 기술 [高速SiCエッチング技術]
  • 아연도금 표면외과과 거칠기를 향상시키는 첨가제 개발에 관한것으로, 고전류밀도에서도 첨가제효과를 조사할수 있는 순환셀 장치에 전기화하적 거동을 측정할수 있게 3극 ...
  • 베라트라알데히드 ^ veratraldehyde 3,4-다이메톡시벤즈알데하이드 3,4-dimethoxybenzaldehyde wiki 베라트르알데히드 [바닐린]의 유도체로 구조적으로는 [벤즈알데히드]와 ...
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  • AZ31 Mg 합금에서 PEO (Plasma Electrolytic Oxidation) 피막의 형성거동은 전압-시간 곡선에 따라 다양한 농도의 수산화 이온 (OH) 및 규산염 이온 (SiO32-) 을 포함하는 ...
  • 임의의 막두께 및 임의의 막조성으로 구리 또는 니켈과 같은 금속 또는 활성화된 부도체 소재에 땜납을 자기촉매적으로 도금할수 있는 무전해 땜납도금욕을 설명했다.