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질화탄탈륨 TaN 벽층에 대한 직접 구리 전착
Direct Copper Electrodeposition on TaN Barrier Layers

등록 2014.07.18 ⋅ 30회 인용

출처 Electrochemical Society, 150권 5호 2003년, 영어 6 쪽

분류 연구

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자료요약
카테고리 : 구리/합금 | 글입력 : GoldBuG | 최종수정일 : 2022.08.11
황산, 에틸렌디아민, 구연산및 붕불산 용액에서 질화탄탈륨 TaN 으로의 구리핵 생성 및 성장에 대해 보고 하였다. TaN 의 구리도금 시작은 용액 화학에 따라 백금 Pt 증착에 비해 0.65 V 에서 1 V 로 음으로 이동 한다. 모든 솔루션에서 도금은 3차원 섬 성장에 의해 발생 한다. 섬 밀도는 일반적으로 과전압이 증가함에 따...
  • 구리의 화학적 기계적 평탄화(CMP)는 서브미크론 범위와 다단계 금속화를 생성하는 데 필수적인 공정이다. 동적 및 정적 제거 속도 측정뿐만 아니라 전기화학을 사용하는 Cu...
  • 비밀글입니다.
  • Ni층과 Fe층을 2개로한 전기도금조를 사용하여, 각각 임의의 도금두께로 다층석출하여, 그후 열처리함에 따라 Ni/Fe 조성비가 다른 합금을 만들어, 도금막의 자기특성의 변...
  • 코로스트립(Corrostrip)은 랙크(rack), 바스켓(baskets), 아연 도금 부품에서 코로실 CFS R(Corrosil CFS R)의 제거를 위해 개발된 알칼리 프로세스 이다. 코로스트립(Corro...
  • 소소원통 (素燒円筒) ^ Diaphragm Electrolysis 크롬도금액 중 3가 크롬이온을 회수하기 위한 전해격막으로 보통은 무기질인 산화알루미늄 및 세라믹 재질로 만든 원통형 전...