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정전위 분극법과 BTA을 이용한 웨트 에칭에 있어서 언더커트의 제어
COntrol of Undercut on Wet Etching by Potentiostatic Polarization Method and BTA

등록 2014.10.01 ⋅ 30회 인용

출처 표면기술, 64권 10호 2013년, 일어 2 쪽

분류 연구

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자료요약
카테고리 : 엣칭/부식 | 글입력 : goldbug | 최종수정일 : 2020.12.01
구리의 용해에 대한 BTA를 조합하여, 웨트 에칭에 있어서 언더커트의 형태 제어에 관하여 검토
  • 염화 이온과 폴리에틸렌글리콜 (PEG) 구리 다마신 전기도금의 첨가제로 함께 사용되어 도금을 억제한다. 염소 (Cl-) 농도가 1 mM 수준보다 낮으면 억제가 임계전위 이하로 ...
  • 프루오로 카본계 카티온 계면활성제 흡착에 의한 발수성 불화흑연의 분산방법과 전해공석에 의한 입자의 복합화법 및 입자의 분산농도, 전해전류 밀도, 도금액 온도, 니켈이...
  • 산성 금도금 Acid Gold Plating 도금욕 성분 전체를 조성 하기전에 도금욕 성분(금염 및 광택제 제외)을 [활성탄처리]하여 정화한다. 광택 산성 금도금은 옅은 노란색에서 ...
  • 도금공정에서 발생하기 쉬운 수소취성의 중요포인트인 전처리공정의 수소취성영향과 감소대책을 설명
  • MEMS는 반도체 집적회로의 구조 기술을 기본으로 하고, 전자, 기계, 광, 재료 등 다양한 기술을 부품들이 궁극적으로 추구하는 목표를 모두 만족시킬 수 있다는 장점을 ...