도금 첨가제 제조 원료약품 - ULSI 구리배선의 형성을 목적으로 한 에텔렌디아민 착화욕에서의 구리전석

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ULSI 구리배선의 형성을 목적으로 한 에텔렌디아민 착화욕에서의 구리전석

Electrodeposition of copper from ethylenediamine complex bath for ULSI metallization

등록 : 2010.02.08 ⋅ 35회 인용

출처 : 표면기술, 50권 7호 1999년, 일어 5 쪽

분류 : 연구

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카테고리 : 구리/합금 | 글입력 : GoldBuG | 최종수정일 : 2020.11.26

분극저항이 큰 에틸렌디아민 착화욕에서의 구리 전석에 관하여, 유기유황계 첨가제를 사용하지 않고, [[균일전척성] 및 물성이 우수한 구리판을 만드는 조건의 확립과, LSI 구리배선 형성의 적용 가능성을 검토

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