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검색글 Keisuke Nakamura 1건
고속 SiC 에칭 기술
HIgh-rate SiC etching technology

등록 : 2008.09.24 ⋅ 133회 인용

출처 : 미쓰비시전기기보, 78권 6호 2004년, 일본어 1 쪽

분류 : 연구

자료 : 있음(다운로드불가)

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자료요약
카테고리 : 엣칭/부식 | 글입력 : 티타늄 | 최종수정일 : 2014.09.16
고밀도 ECR 프라즈마 에칭장치와 만든 SiC에칭 특성에 관하여 기술 [高速SiCエッチング技術]
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  • NES
    Lugalvan NES ^ Sulfonated and Sulfated Alkylphenol Ethoxylate Lugalvan NES 는 [산성아연도금] 및 [주석도금|주석 전기도금용] 광택제로 사용한다. 도금욕의 운점의 개...