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관통 실리콘 비아에 있어서 구리 전착에 대한 염화물 농도의 영향
Effect of Chloride Concentration on Copper Deposition in Through Silicon Vias

등록 2022.02.20 ⋅ 63회 인용

출처 Electrochemical Society, 166권 1호 2019년, 영어 13 쪽

분류 연구

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저자

T. M. Braun1) D. Josell2) M. Silva3) J. Kildon4) T. P. Moffat

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자료요약
카테고리 : 구리/합금 | 글입력 : 화양별곡 | 최종수정일 : 2024.03.04
TSV (metallized through silicon vias) 에서 상향식 Cu 전착은 함몰된 표면 피쳐 내에서 선택적으로 분해되는 공동 흡착된 폴리에테르-Cl- 억제층에 의존한다. 이 연구는 서프레서 차단층의 형성이 Cl- 의 플럭스에 의해 제한될 때 Cu 전착을 탐구하였다. 이러한 제약은 표면 상태뿐 아니라 서프레서 형성과 파괴 사이의 결...

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