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양극 산화에 의한 실리콘 카바이드의 표면 가공
Surface Processing of Silicon Carbide by Anodization

등록 : 2023.10.27 ⋅ 23회 인용

출처 : 표면기술, 74권 4호 2023년, 일어 6 쪽

분류 : 연구

자료 : 있음(다운로드불가)

저자 :

기타 :

陽極酸化によるシリコンカーバイドの表面加工

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자료요약
카테고리 : 양극산화 | 글입력 : 화양별곡 | 최종수정일 : 2023.11.04
SiC의 전기 화학 반응 활성을 높이는 접근법과 그것을 굳이 극한까지 저하시키는 접근법에 의해 SiC의 양극산화에 임하고, 다공성 구조의 형성, 위치 선택적인 금속 치환도금, 배리어 피막 형성과 그 개요를 소개하였다.
  • 미세금속 회로를 형성하기 위한 전해 도금액으로 하지금속 용해에 의한 균열발생을 해소한 전해 도금액으로 환원제가 함유된 전해도금액 0.05 mol/L 황산구리 0.075 mol/L E...
  • 에너지분산 분광법 ^ Modified Energy Dispersion Spectroscopy (EDS) EDS, EDX 또는 XEDS 라고도 한다. 물질의 화학적 특성 분석ㆍ원소 분석을 가능하게 하는 분석 방법 에...
  • 금속과 고분자 재료와의 접착력을 개선하기 위한 목적으로 고분자재료와, 친화성이 좋은 고분자 입자를 균일하게 분산 함유한 복합도금 피막의 개발과 그 효과등에 관하여 설명
  • AA5052 알루미늄 합금의 알칼리 에칭 및 디스머팅중 거칠기 구성 Mg2Si 입자의 거동을 전자 현미경을 사용하여 입자의 형태 및 거칠기 진화를 모니터링하여 조사했습니다. M...
  • 나노 크기의 입자, 교반 및/또는 계면활성제의 사용에 의한 전해질은 금속과 함께 복합전착될 수 있다. 나노크기 입자의 포함은 증가된 미세경도 및 내식성, 나노결정질 금...