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고전류밀도 염화 아연 도금 공정과 조성
High current density zinc chloride electrogalvanizing process and composition

등록 2008.08.27 ⋅ 61회 인용

출처 미국특허, 1997-5656148, 영어 10 쪽

분류 특허

자료 웹 조사자료

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자료요약
카테고리 : 아연/합금 | 글입력 : 티타늄 | 최종수정일 : 2022.02.13
도포된 HCD 아연피막은 수지상 방지제를 곡물 정제 제보다 더 많은 양으로 증가시킴으로써 설폰화 나프탈렌 포름 알데하이드 항수지제 및 저분자량 에틸렌 옥사이드 중합체를 사용할 때 더 부드러워 질 것이다.
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  • 고속액순환형 전석장치를 시험용으로하여, Ni-P 합금피막의 아루미나 기판상의 전석에 관하여 조사하고, Ni-P 합금피막의 전석조건 및 전석형태와 저항특성에 관하여 검토