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겔 입자를 이용한 부분치환 주석도금법의 개발
Tin displacement plating on copper using alginate Gel Particle

등록 2008.10.22 ⋅ 41회 인용

출처 표면기술, 59권 6호 2008년, 일본어 5 쪽

분류 연구

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자료요약
카테고리 : 도금자료기타 | 글입력 : goldbug | 최종수정일 : 2020.12.01
알칸산을 주석이온에 의한 가교역할의 겔 입자(알킨산-주석 겔 입자)를 조사하고, 조제된 알칼산-주석겔 입자를 구리판 상에 흡착하고 부분 치환 주석도금을 하고, 광학현미경과 SEM-EDX를 사용하여 만든 도금막의 관찰과 물성평가
  • 전해 전이금속 도금방법을 통해 구리 Cu/ 은 Ag/ 크롬 Cr 을 활성탄소에 도입하여 HCl 과 같은 독성가스를 효율적으로 재거할수 있는 Cu/Ag/Cr/활성탄소 흡착제 및 이의 제...
  • 티오에테르, 2,2 -티오 디아아세트산 (TDA) 및 DL -메티오닌 (MTN), 티올 티오프로닌 (TPN) 디설파이드, 비스 -(황산나트륨) -디설파이드 (SPS), 티오황산나트륨 (TSL) 을 ...
  • 염산욕에 염화물이온의 확보를 위해 첨가되는 염화칼륨과 염화암모늄을 대상으로 각종 도금조건 및 용액조건의 변화에 대하여 이들이 도금층의 Fe 함량에 미치는 영향을 조사
  • 도금액에 현탁한 분말의 표면에 흡착한 + 이온과 ζ 전위와의 관계, 그리고 이 -이온과 ζ 전위가 공석에 미치는 영향의 두 부분으로 나누어서 무전해 복합도금의 반응 기구를...
  • 전압 ㆍ Voltage 도체에 전기를 흐르게 하려면 마치 물이 높은 곳에서 낮은 곳으로 흐르는 것과 같이 전기적인 높이의 차가 필요하다. 이 전기적인 높이를 전위 (electric p...