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질화탄탈륨 TaN 벽층에 대한 직접 구리 전착
Direct Copper Electrodeposition on TaN Barrier Layers

등록 : 2014.07.18 ⋅ 20회 인용

출처 : Electrochemical Society, 150권 5호 2003년, 영어 6 쪽

분류 : 연구

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자료요약
카테고리 : 구리/합금 | 글입력 : GoldBuG | 최종수정일 : 2022.08.11
황산, 에틸렌디아민, 구연산및 붕불산 용액에서 질화탄탈륨 TaN 으로의 구리핵 생성 및 성장에 대해 보고 하였다. TaN 의 구리도금 시작은 용액 화학에 따라 백금 Pt 증착에 비해 0.65 V 에서 1 V 로 음으로 이동 한다. 모든 솔루션에서 도금은 3차원 섬 성장에 의해 발생 한다. 섬 밀도는 일반적으로 과전압이 증가함에 따...
  • 도금폐수의 처리 및 폐굴껍질의 재활용 방안으로 폐굴껍질의 중화능과 중금속 흡착능을 Bohart-Adam 식에 의한 현장적용인자를 도출하여 향후 폐굴껍질과 유사한 성분을 함...
  • 고온도에 있어서 아연의 아노드반응에 대한 Na 및 K의 다른점에 관하여 조사하고, 양 이온의 부동태화 현상에 있어서의 영향에 대한 보고
  • FSB
    SFB ^ Sodium Formaldehyde Bisulfide CAS No 870-72-4 HOCH2SO3Na = 134.09 g/mol 백색 분말 니켈도금 불순물 제거제 다른 상품명 [PN] 참고 [니켈광택제]
  • 전기주조 기술은 .20mm ~ .30mm의 균일하고 정확한 두께의 순수한 금 Au 도금을 만드는데 사용된다. 이 기술을 사용하여 다이를 복제하고 절연된 구리전극을 준비된 마진의 ...
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