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실리콘 웨이퍼의 전기도금 최적화
Optimization of Electroplating on SIlicon Wafer

등록 2014.11.11 ⋅ 71회 인용

출처 일본기계학화논문집, 68권 666호, 일본어 6 쪽

분류 해설

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기타

シリコンウェハへの電気めっきの最適化

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자료요약
카테고리 : 응용도금 | 글입력 : goldbug | 최종수정일 : 2014.11.11
유한요소법과 경계요소법을 경합한 해석방법을 개발함에 따라, 두께의 불균일성과 시간변화를 고려하여, 개발된 해석방법을 이용하여 균일한 두께의 도금막을 만들기위한 최적화의 연구
  • 알루미늄의 화학연마 ^ Aluminium Chemical Polishing 화학연마 |1| 10~12 % 인산알루미늄 (AIPO) 64~70 % 인산 H3PO4 2.8~3.2 % 질산 HNO3 0.01~0.02 % 구리 Copper 17~23 ...
  • 염산산성 0.1 및 3% 염화금산 수용액중에 (001) 및 (110) 철단결정을 침지하여 철면상에 치환금막을 만들고, 판형결정 형성초기에 있어서 석출거동, 금막판형 결정내에 함유...
  • 전분 · Starch 전분 (Starch) 또는 아밀럼 (Amylum) 을 말하며 글루코스 (GLucos) 결합으로 연결된 수많은 포도당으로 고분자 탄수화물이다. 도금에서는 분석화학에 이용되...
  • 양극표면에 형성된 피막을 X선회절로 조사하고, 피막형성에 의한 은양극의 용해성에 관하여, 아노드 분극곡선 및 양극 전류효율의 관점을 검토한 보고서
  • 폴리스티렌의 표면에 금속화에 관하여 그대로는 화학도금이나 전기도금이 불가능하다. 화학적으로 도금할때 그 표면에 금속피막을 부여하는 공정이 필요하다