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ULSI 배선상의 무전해니켈 도금에 의한 베리어 메탈의 형성
Formation of Barrier Metal Using Electroless Nickel Deposition on ULSI Wiring

등록 2014.11.17 ⋅ 35회 인용

출처 일렉트로닉스실장학회지, 4권 4호 2001년, 일어 4 쪽

분류 연구

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저자

기타

ULSI 配線上への無電解ニッケルめっきによるバリアメタルの形成

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자료요약
카테고리 : 인쇄회로 | 글입력 : goldbug | 최종수정일 : 2021.01.11
현재 베리어층으로 사용되고 있는 질화규소 SiN 막의 대체로, 무전해니켈 합금도금을 이용한 50 nm 정도의 피막을 독립화한 구리의 패턴위에 성막하여, 소위 캡메탈 형성에 관하여 검토
  • 물체의 고밀도화, 고단열화에 의해, 곰팡이, 누메리 등의 미생물의 생활 공간에의 악영향이 문제가 되고 있다. 항균화를 적극적으로 진행하여 깨끗하고 편안한 공간을 제공...
  • 다이나믹 도금셀 (HETC) ^ Hydrodynamic Electroplating Test Cell HETE 는 1994 년 경 "Shi-Chern Yen" 과 "I- Mon Lu" 가 고안한 두개의 차단 전극이 서로 90° 를 가진 회...
  • 도금층의 수직자기 이방성, 항자력 그리고 각형비에 대한, 도금된 철 또는 코발트 입자의 직경, 길이, 입자간거리 그리고 우선 방향의 영향을 조사
  • 아연 또는 아연합금 본체를 본질적으로 가용성 구리염, 착화제로 구성된 무전해구리 도금 조성물 또는 용액과 접촉시키는 것을 포함하는 공정에 의해 아연합금 버디에 균일...
  • 반도체장치는 기본적으로 순도가 매우 높은 게르마늄 칩의 실리콘으로 구성되며, 불순물 원소를 정밀하게 관리하고 추가하여 n형 또는 p형 반도체로 변환한다.