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보이드가 없는 TSV 구리 충전용 단일 억제제 SH110의 실험 및 시뮬레이션
Experiment and simulation of single inhibitor SH110 for void‑free TSV copper filling

등록 : 2022.03.13 ⋅ 50회 인용

출처 : Scientific Reports, 2021년, 영어 12 쪽

분류 : 연구

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자료요약
카테고리 : 구리/합금 | 글입력 : 화양별곡 | 최종수정일 : 2022.12.02
TSV (실리콘 관통 비아) 와의 3차원 통합은 유망한 마이크로 전자 상호 연결 기술이다. 3성분 첨가제는 보이드가 없는 TSV 충전에 일반적으로 사용된다. 그러나 첨가제 농도를 최적화하는 것은 비용이 많이 드는 과정이다. 이를 피하기 위해 단일 성분 첨가제가 개발되었다. 3-(2-(4,5-dihydrothiazol-2-yl) disulfanyl) pro...

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