무전해 니켈(EN) 도금을 통해 실리콘 카바이드(SiC) 입자 표면에 니켈-인(Ni-P) 도금을 하였다. NaH2PO2 H2O/NiSO4 6H2O 몰비, DL-C4H6O5/NiSO4 6H2O 몰비, pH 및 도금욕 온도를 포함한 주요 유효 매개변수의 영향을 Taguchi 설계 방법으로 조사하였다. 일련의 실험을 기반으로 도금 속도(R)와 욕 효율 간의 균형을 고려...
Nikal BP RTU electrolytic nickel produces matte to semi bright, low-porosity nickel deposits for wafer plating. Nikal BP is characterized by its ability to produ...