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도금과 CMP 프로세스의 최신 기술 동향 - hp22nm 세대를 향한 도금 및 연마 실현
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등록 2012.11.08 ⋅ 29회 인용

출처 전자기술, 6호 2010년, 한글 7 쪽

분류 해설

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자료요약
카테고리 : 엣칭/부식 | 글입력 : goldbug | 최종수정일 : 2020.12.04
취약한 저유전율 절연막과 얇고 컨포멀한 라이너로 구성된 hp22nm 세대의 인테그레이션에서는 고정항 시드 위의 도금 성막과 엄격한 평탄화 요구를 과제로 들수 있다. 여기서는 고저항 루테늄 Ru 시드상 다이렉트도금, CMP 의 CoC 저감 목적의 평탄화 도금에서 저 스트레스 목적의 각종 평탄화 방법까지 살펴본다

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