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비아 홀(TSV)의 Cu 충전 및 범핑 공정 단순화
Copper Filling to TSV (Through-Si-Via) and Simplification of Bumping Process

등록 : 2014.02.23 ⋅ 8회 인용

출처 : 마이크로패키징학회, 17권 3호 2010년, 한글 6 쪽

분류 : 해설

자료 : 있음(다운로드불가)

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자료요약
카테고리 : 인쇄회로 | 글입력 : goldbug | 최종수정일 : 2020.10.15
비아홀 형성 및 비아홀 내부에 Au 시드층을 형성하고, 그 위에 Cu 합금을 충전한 후 리소그라피 공정을 사용하지 않고 범프를 제조하는 범핑 공정단순화에 대하여 보고
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  • 발명은 금속크롬의 전착개선에 관한 것이다. 주요 목적은 금속크롬이 이전보다 더 경제적으로 금속 표면에 전해 도금될수 있는 방법을 제공하는 것이다.
  • 글라스 표면은 어떤 구조와 성질을 가지고 있는가, 세척한 표면을 방치하면 어떻게 변하는가, 글라스 표면을 처리하는 방법에 따라 어떻한 기능을 가지는가 등에 대한 설명
  • [Industrial Plating and Specialty Chemicals] 각종 도금용 약품 리스트
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