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비아 홀(TSV)의 Cu 충전 및 범핑 공정 단순화
Copper Filling to TSV (Through-Si-Via) and Simplification of Bumping Process

등록 2014.02.23 ⋅ 44회 인용

출처 마이크로패키징학회, 17권 3호 2010년, 한글 6 쪽

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자료요약
카테고리 : 인쇄회로 | 글입력 : goldbug | 최종수정일 : 2020.10.15
비아홀 형성 및 비아홀 내부에 Au 시드층을 형성하고, 그 위에 Cu 합금을 충전한 후 리소그라피 공정을 사용하지 않고 범프를 제조하는 범핑 공정단순화에 대하여 보고
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  • 에찬트 제조공장의 온라인에 맞는 실증실험으로, 재생결과 및 조작조건과 전해액 농도의 영향에 관하여 검토한 보고서
  • 내용참조 1. 한글 2.영문 - 바렐 및 래크사용 가능 - 도금층에 10~15% 니켈 합금 - 무광~반광택 도금 - 크로메이트처리 용이함