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비아 홀(TSV)의 Cu 충전 및 범핑 공정 단순화
Copper Filling to TSV (Through-Si-Via) and Simplification of Bumping Process

등록 : 2014.02.23 ⋅ 17회 인용

출처 : 마이크로패키징학회, 17권 3호 2010년, 한글 6 쪽

분류 : 해설

자료 : 있음(다운로드불가)

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자료요약
카테고리 : 인쇄회로 | 글입력 : goldbug | 최종수정일 : 2020.10.15
비아홀 형성 및 비아홀 내부에 Au 시드층을 형성하고, 그 위에 Cu 합금을 충전한 후 리소그라피 공정을 사용하지 않고 범프를 제조하는 범핑 공정단순화에 대하여 보고
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  • 구리 시안착염 용액은 심지어 그 사정이 다르고 위와 같은 법칙성이 전혀 인정되지 않는다. 이것은 CuCN-NaCN (또는 CuCN-KCN) 계 용액의 전기분해는 구리의 전기분석과 동...
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