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도금 첨가제에 의한 구리의 TSV (실리콘 관통 비아) 필링
TSV(Through-Silicon-Via) copper filling by Electrochemical deposition with additives

등록 : 2014.08.11 ⋅ 16회 인용

출처 : 한국표면공학회, 2011춘계학술대회, 한글 3 쪽

분류 : 연구

자료 : 있음(다운로드불가)

저자 :

기타 :

2011년도 한국표면공학회 춘계학술대회 논문집

자료 :

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자료요약
카테고리 : 구리/합금 | 글입력 : goldbug | 최종수정일 : 2020.12.14
실리콘 소재에 형성된 관통 비아 내에 습식 전해 도금을 이용하여 구리 전극을 성장 시키는 방법에 관한 것이다. 실리콘 관통 비아 내에 구리 관통 전극을 형성시 비아 상부의 전류밀도가 하부보다 높으므로 공공이 발생하게 된다. 공공의 발생을 방지하기 위하여 도금첨가제인 억제제와 가속제를 조건에 따라 첨가하며 ...

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