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전해도금을 이용한 기가급 소자용 구리배선 공정
Cu Metallization for Giga Level Devices Using Electrodeposition

등록 : 2011.09.19 ⋅ 42회 인용

출처 : 전기화학, 10권 2호 2007년, 한글 10 쪽

분류 : 연구

자료 : 있음(다운로드불가)

저자 :

김수길1) 강민철2) 구효철3) 조성기4) 김재정5) 여종기6)

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자료요약
카테고리 : 구리/합금 | 글입력 : GoldBuG | 최종수정일 : 2020.12.28
구리배선 동정에 있어서 확산방지막, 도전층, 전해/무전해도금, 화학적 기계적 연마, 보호막 형성등의 금속화 공정에 대한 개요와 연구개발 이슈를 소개하고 최근의 연구결과를 통해 구리배선 공정의 최신 연구 동향을 소개
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  • FAS
    FAS ^ 1-Propanaminium,3-〔(heptadecafluoriictyl)sulfonyl-amino〕-N,N-diethyl-N-(3-sulfopropyl)-inner salt C16H19F17N2O5S2 = g/Mol CAS : 83038-19-1 성상 : 무색의 ...
  • 현행의 디바이스를 웨어러블화 함에 있어서, 필요 불가결이 되는 섬유에의 고신축 도전 배선 형성 기술 및 이를 기초로 하여 개발한 웨어러블 디바이스 등에 대해서 설명한다.