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고속 SiC 에칭 기술
HIgh-rate SiC etching technology

등록 2008.09.24 ⋅ 158회 인용

출처 미쓰비시전기기보, 78권 6호 2004년, 일본어 1 쪽

분류 연구

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자료요약
카테고리 : 엣칭/부식 | 글입력 : 티타늄 | 최종수정일 : 2014.09.16
고밀도 ECR 프라즈마 에칭장치와 만든 SiC에칭 특성에 관하여 기술 [高速SiCエッチング技術]
  • 아직까지 무전해도금이 시도되지 않은 탈륨을 니켈-인 Ni-P 도금피막에 공석시켜 합금피막을 형성시키고자 하였으며, 도금조건에 관한 검토 결과와 석출피막의 결정구조에 ...
  • 도금조의 화학적제어는 어려운 분석 문제가 될수 있다. 도금되는 금속의 농도뿐만 아니라 주요양과 미량으로 존재할수 있는 다른 금속의 수준을 지속적으로 모니터링하는 것...
  • Penguin Series BF bag filtration systems are designed to provide rapid, high velocity solution turnover, while removing contaminants that tend to “surface load”....
  • 피로인산 구리도금액 분석 Pyrophosphate Plating Bath 구리 도금액 1 ㎖ 를 300 ㎖ 비이커에 취하고 물 180 ㎖ 를 가한다. 액을 40~50 ℃ 가 되게 가열한다. PAN 지시약을 ...
  • 구리 전기도금 전에 구리 스퍼터 코팅된 TiN/Si (100) 에서 표면 천연산화물을 제거하는 기존 전처리 시스템의 능력을 조사했다. 구리 시드층에 있는 구리산화물은 표면전처...