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표면처리기술문헌 : 습식표면처리 연구문헌자료

검색글 TSV 8건

습식도금 자료분류

자료수 10977 건
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Pstation Data Box · 2019 ⋅ S.I.HONG ⋅
습식 표면처리 개발을 위한 연구/문헌 자료실 (로그인 필요) 이용을 환영합니다. 외뢰어는 기본적으로 한글 표준 발음 (포리머 → 폴리머 / 알카리 → 알칼리)을 사용하였습니다. 많이 사용되는 용어는 일반관 용어 (Nickel → 니켈) / (신주 / 구리-아연 합금 → 황동)을 사용하였습니다. 2개 이상의 합금...

구리 전기도금첨가제의 결정은 반도체 처리 및 전자 패키징에 사용되는 도체 및 TSV (Through Silicon Vias) 의 구리 도금의 기능에 중요하다. 현재의 분석 방법은 많은 화학적 분석 단계를 필요로 하고 폐기물을 발생시키며 정확하지 않다. 인공신경망의 사용과 함께 감소된 단계 수를 활용한 새로...

시험분석 · Web · na · Charles D. Ellis · Michael C. Hamilton 외 .. 참조 39회

TSV (실리콘 관통 비아) 와의 3차원 통합은 유망한 마이크로 전자 상호 연결 기술이다. 3성분 첨가제는 보이드가 없는 TSV 충전에 일반적으로 사용된다. 그러나 첨가제 농도를 최적화하는 것은 비용이 많이 드는 과정이다. 이를 피하기 위해 단일 성분 첨가제가 개발되었다. 3-(2-(4,5-dihydrothiazol-2...

구리/합금 · Scientific Reports · 2021년 · Fuliang Wang · Yuping Le 참조 50회

TSV (metallized through silicon vias) 에서 상향식 Cu 전착은 함몰된 표면 피쳐 내에서 선택적으로 분해되는 공동 흡착된 폴리에테르-Cl- 억제층에 의존한다. 이 연구는 서프레서 차단층의 형성이 Cl- 의 플럭스에 의해 제한될 때 Cu 전착을 탐구하였다. 이러한 제약은 표면 상태뿐 아니라 서프레서 ...

구리/합금 · Electrochemical Society · 166권 1호 2019년 · T. M. Braun · D. Josell 외 .. 참조 21회

단일 억제 첨가제가 포함된 메탄설폰산 (MSA) 전해질은 TSV (실리콘 비아)를 통해 중간 규모의 구리를 정전위 상향식 충전에 사용했다. 반대로 정전류 전착은 일반적으로 정전위 도금에 필요한 기준 전극이 장착되어 있지 않기 때문에 생산 수준의 전체 웨이퍼 도금 도구에 바람직하다. 전위차 전착은 ...

구리/합금 · Electrochemical Society · 166권 1호 2019년 · L. A. Menk · E. Baca 외 .. 참조 22회

TSV 충전에서의 다양한 변수들 중 기능성 박막과 도금공정에 의한 Cu 전해 도금을 자세히 소개

인쇄회로 · KWJS · 31권 3호 2013년 · 노명훈 · 이형 외 .. 참조 20회

높은 종횡비 (직경 3 μm, 깊이 50 μm) 로 Si 관통 비아 (TSV) 의 구리충진을 가능하게 하기 위해 코발트 라이너 재료에 구리시드의 무전해도금을 조사하였다. 환원제인 글리옥실산은 포름알데하이드의 경우 나타나지 않는 코발트에 양극산화를 나타냈다. 전기화학적 분석에서 최적화된 도금욕 ...

구리/Cu · Soli Stat Scie Tech · 4권 1호 2015년 · Fumihiro Inoue · Harold Philipsen 외 .. 참조 10회

실리콘 소재에 형성된 관통 비아 내에 습식 전해 도금을 이용하여 구리 전극을 성장 시키는 방법에 관한 것이다. 실리콘 관통 비아 내에 구리 관통 전극을 형성시 비아 상부의 전류밀도가 하부보다 높으므로 공공이 발생하게 된다. 공공의 발생을 방지하기 위하여 도금첨가제인 억제제와 가속제를 ...

구리/합금 · 한국표면공학회 · 2011춘계학술대회 · 진상현 · 정은용 외 .. 참조 16회

첨가제의 사용량을 줄이기 위하여 다양한 첨가제 중에 평활제만을 사용하여 비아필링 실험을 진행하였으며, 첨가제의 양에 따른 표면 형상 및 비아필링의 형상을 관찰

구리/합금 · 마이크로전자 및 패키징학회지 · 19권 2호 2012년 · 정명원 · 김기태 외 .. 참조 12회

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