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비아 홀(TSV)의 Cu 충전 및 범핑 공정 단순화
Copper Filling to TSV (Through-Si-Via) and Simplification of Bumping Process

등록 : 2014.02.23 ⋅ 14회 인용

출처 : 마이크로패키징학회, 17권 3호 2010년, 한글 6 쪽

분류 : 해설

자료 : 있음(다운로드불가)

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자료요약
카테고리 : 인쇄회로 | 글입력 : goldbug | 최종수정일 : 2020.10.15
비아홀 형성 및 비아홀 내부에 Au 시드층을 형성하고, 그 위에 Cu 합금을 충전한 후 리소그라피 공정을 사용하지 않고 범프를 제조하는 범핑 공정단순화에 대하여 보고
  • 전해열성에 의한 Cr(iii) 착화의 성형변화와 분극거동에 관련성을 분광광도법, 포라로 그라프법 및 정상법 음극곡선의 측정결과를 기초로한 연구
  • 고분자 재료 PTFE 의 낮은 경도 값의 경도 해결방안으로 텅스텐 W 을 첨가한 Ni-P-PTFE 의 복합도금을 시도하고 도금막의 특성을 니켈-인 Ni-P, Ni-P-PTFE 도금막과 비교 분...
  • 내식성은 염수분무시험 등으로 행했다. 내 연료 성 및 내구성은 60 ℃에서 각종 연료에서 6개월 간 폭로시험으로 평가했다. 소재는 Zn-Ni 도금 목부량 전처리유형 도막두께를...
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  • 분석가능한 시안량을 기준으로 구리 아연비 Cu/Zn 아연의 징케이트 착화를 콘트롤하는 수산화나트륨의 영향등에 관하여 설명