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구리배선 도금장치
Cu Interconnect Plating System

등록 2008.08.01 ⋅ 73회 인용

출처 에바라시보, 207호 2005년, 일어 4 쪽

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자료요약
카테고리 : 응용도금 | 글입력 : goldbug | 최종수정일 : 2015.01.28
반도체에 있어서 테크노로지 노드 90nm 세대의 동배선도금장치가 요구되어 프로세스 성능으로, 미세화된 다마신구조의 봉공성, 면내균일성, 도금막 단차의 저감등이 있다.
  • 주석 Sn 함량이 다른 실리콘-주석 Si-Sn 합금 양극은 일정한 전위 공증착법에 의해 유기용매로부터 제조되며, 100 mA/cm2 의 전류에서 100 회의 충 방전 사이클 후에도 여전...
  • 표면 처리에는 각각 최적의 작업 조건이 있다. 그 중에서도 온도는 가장 중요한 사항 중 하나이며, 소정의 온도 범위로 설정·유지하기 위해서는 욕의 가열, 냉각, 또는 그 ...
  • 금 나노입자를 촉매로 사용하여 단결정 4H-실리콘 카바이드(SiC) 웨이퍼에 직접 무전해 도금하는 새로운 방법을 개발하였다. SiC 상의 금 나노입자는 Hg-Xe 쇼트 아크 램프...
  • 전착복합재는 마찰 응용 분야를 위한 맞춤형 피막을 위한 저비용, 용이성 및 작동의 단순성을 포함한 장점으로 인해 중요성을 얻고 있다. 일반적으로 탄화물 (SiC와 같은) ...
  • 유리에 직접 구리도금의 준비를 논의하였다. 구리가 에칭없이 유리에 직접 도금되면 특히 고주파 신호에 대한 고속전파가 달성될수 있다. CuSO4 5H2O EDTA 4K 2,2'-Bipyridy...